Skip to main content
Tagasi

EVS-EN 62417:2010

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

Üldinfo

Kehtiv alates 07.06.2010
Alusdokumendid
IEC 62417:2010; EN 62417:2010
Tegevusala (ICS grupid)
31.080 Pooljuhtseadised
Direktiivid või määrused
puuduvad

Standardi ajalugu

Staatus
Kuupäev
Tüüp
Nimetus
07.06.2010
Põhitekst
This present standard provides a wafer level test procedure to determine the amount of positive mobile charge in oxide layers in metal-oxide semiconductor field effect transistors. It is applicable to both active and parasitic field effect transistors. The mobile charge can cause degradation of microelectronic devices, e.g. by shifting the threshold voltage of MOSFETs or by inversion of the base in bipolar transistors.

Nõutud väljad on tähistatud *

*
*
*
PDF
12,20 € koos KM-ga
Paber
12,20 € koos KM-ga
Sirvi standardit alates 2,44 € koos KM-ga
Standardi monitooring

Teised on ostnud veel

Põhitekst + muudatus

EVS-EN ISO 7010:2020+A1+A2+A3+A4+A5+A6:2023

Graafilised sümbolid. Ohutusvärvid ja ohutusmärgid. Registreeritud ohutusmärgid
Uusim versioon Kehtiv alates 02.05.2023