Skip to main content
Tagasi

EVS-EN 62047-18:2013

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices -- Part 18: Bend testing methods of thin film materials

Üldinfo

Kehtiv alates 14.11.2013
Alusdokumendid
IEC 62047-18:2013; EN 62047-18:2013
Tegevusala (ICS grupid)
31.080.99 Muud pooljuhtseadised
Direktiivid või määrused
puuduvad

Standardi ajalugu

Staatus
Kuupäev
Tüüp
Nimetus
14.11.2013
Põhitekst
IEC 62047-18:2013 specifies the method for bend testing of thin film materials with a length and width under 1 mm and a thickness in the range between 0,1 micrometre and 10 micrometre. This International Standard specifies the bend testing and test piece shape for micro-sized smooth cantilever type test pieces, which enables a guarantee of accuracy corresponding to the special features.

Nõutud väljad on tähistatud *

*
*
*
PDF
15,86 € koos KM-ga
Paber
15,86 € koos KM-ga
Sirvi standardit alates 2,44 € koos KM-ga
Standardi monitooring

Teised on ostnud veel

Põhitekst

EVS-EN 62047-17:2015

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 17: Bulge test method for measuring mechanical properties of thin films
Uusim versioon Kehtiv alates 05.08.2015
Põhitekst

EVS-EN 62047-16:2015

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films – Wafer curvature and cantilever beam deflection methods
Uusim versioon Kehtiv alates 05.08.2015
Põhitekst

EVS-EN 62047-11:2013

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices -- Part 11: Test method for coefficients of linear thermal expansion of free-standing materials for micro-electromechanical systems
Uusim versioon Kehtiv alates 14.11.2013
Põhitekst

EVS-EN 62047-19:2013

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices -- Part 19: Electronic compasses
Uusim versioon Kehtiv alates 14.11.2013